附件:设置1:设置2:徐锐敏设置3:设置4:本书从GaN HEMT器件工作机理出发, 系统地介绍了微波GaN HEMT功率器件发展现状和趋势, 以及小信号模型、大信号热电模型、大信号缩放模型、统计模型和表面势模型等面向工程化应用的建模技术, 并将该模型应用于大栅宽器件功率电路的输出特性预测与工艺参数分析。
附注提要
本书从GaN HEMT器件工作机理出发, 系统地介绍了微波GaN HEMT功率器件发展现状和趋势, 以及小信号模型、大信号热电模型、大信号缩放模型、统计模型和表面势模型等面向工程化应用的建模技术, 并将该模型应用于大栅宽器件功率电路的输出特性预测与工艺参数分析。