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RCA high-reliability devices /
:
作者：
出版社：
RCA Corporation,
出版时间：
1974
ISBN：
索书号：
TN303/1
分类号：
TN303
页数：
429 p. :
复本数：
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索书号
展开
Semiconductor device technology /
:Goodge, Malcolm E.
作者：
Goodge, Malcolm E.
出版社：
H.W. Sams,
出版时间：
1983
ISBN：
0-672-22074-1
索书号：
TN303/2
分类号：
TN303
页数：
ix, 495 p. :
复本数：
在馆数：
累借天数：
累借次数：
详细信息
索书号
展开
Semiconductor devices and circuits /
:Zanger, Henry,
作者：
Zanger, Henry,
出版社：
Wiley,
出版时间：
1984
ISBN：
0-471-05323-6
索书号：
TN303/3
分类号：
TN303
页数：
xiii, 588 p. :
复本数：
在馆数：
累借天数：
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索书号
展开
Modern semiconductor devices for integrated circuits
:(美) Chenming Calvin Hu
作者：
(美) Chenming Calvin Hu
出版社：
科学出版社
出版时间：
2012
ISBN：
978-7-03-032665-2
索书号：
TN303/27
分类号：
TN303
页数：
351页
价格：
68.00
复本数：
在馆数：
累借天数：
累借次数：
本书主要介绍与集成电路相关的主流半导体器件的基本原理, 包括PN结二极管、MOSFET器件和双极型晶体管 (BJT) , 同时介绍了与这些半导体器件相关的集成工艺制造技术。
详细信息
索书号
展开
半导体器件原理
:黄均鼐, 汤庭鳌, 胡光喜
作者：
黄均鼐, 汤庭鳌, 胡光喜
出版社：
复旦大学出版社
出版时间：
2011
ISBN：
978-7-309-08144-2
索书号：
TN303/26
分类号：
TN303
页数：
375页
价格：
48.00
复本数：
在馆数：
累借天数：
累借次数：
本书主要内容包括: 半导体器件的物理基础 ; p-n结 ; 晶体管的直流特性 ; 晶体管的频率特性和功率特性 ; 晶体管的开关特性等。
详细信息
索书号
展开
电力半导体器件原理与应用
:袁立强 ...
作者：
袁立强 ...
出版社：
机械工业出版社
出版时间：
2011
ISBN：
978-7-111-35666-0
索书号：
TN303/5:2
分类号：
TN303
页数：
284页
价格：
49.80
复本数：
在馆数：
累借天数：
累借次数：
本书共分8章, 主要阐述电力半导体器件的基本功能和用途 ; 半导体器件物理基础 ; 双极型电力半导体器件基本原理 ; 电力半导体器件的特性和参数等。
详细信息
索书号
展开
半导体器件新工艺
:梁瑞林
作者：
梁瑞林
出版社：
科学出版社
出版时间：
2008
ISBN：
978-7-03-021253-5
索书号：
TN303/3
分类号：
TN303
页数：
194页
价格：
23.00
复本数：
在馆数：
累借天数：
累借次数：
本书主要介绍半导体器件的设计、半导体器件的制作、半导体器件的组装与封装等，从理论到实用，从工艺设计到原材料、元器件、印制电路板制造以及安装、焊接、测试技术进行了详细介绍。
详细信息
索书号
展开
固态电子器件
:(美) Ben G. Streetman, Sanjay Kumar Banerjee, 何小威
作者：
(美) Ben G. Streetman, Sanjay Kumar Banerjee, 何小威
出版社：
人民邮电出版社
出版时间：
2009
ISBN：
978-7-115-20216-1
索书号：
TN303/6
分类号：
TN303
页数：
401页
价格：
75.00
复本数：
在馆数：
累借天数：
累借次数：
本书是介绍半导体器件工作原理的经典入门教材, 其主要内容包括固体物理基础和半导体器件物理两大部分, 同时也涵盖半导体晶体结构与材料生长技术、集成电路原理与制造工艺以及光电子器件与高频大功率器件等相关内容。
详细信息
索书号
展开
低维半导体复合结构的光学性质
:金华
作者：
金华
出版社：
吉林大学出版社
出版时间：
2009
ISBN：
978-7-5601-4463-4
索书号：
TN303/12
分类号：
TN303
页数：
107页
价格：
20.00
复本数：
在馆数：
累借天数：
累借次数：
本书主要内容包括低维半导体的基本性质, 低维结构中的光学测量方法, ZnTe基复合量子阱中的载流子行为和ZnTe基复合量阱子中的载流子行为和ZnTe基量子阱/量子点复合结构中的激子行为。
详细信息
索书号
展开
专用半导体器件
:上海无线电十七厂
作者：
上海无线电十七厂
出版社：
科学出版社
出版时间：
1972
ISBN：
15031.34
索书号：
TN303/30
分类号：
TN303
页数：
188页
价格：
0.40
复本数：
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(美) B. Jayant Baliga, 韩郑生, 陆江, 宋李梅
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